高真空CVD系統(tǒng)是一款專業(yè)在沉底材料上生長高質(zhì)量石墨烯、碳納米管、碳化硅的設(shè)備，廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領(lǐng)域。二、產(chǎn)品特點高真空CVD系統(tǒng)主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統(tǒng)、分子泵機組、自動化控制系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等組成。

CVD系統(tǒng)設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計生產(chǎn)，除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。

CVD成長系統(tǒng)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學反應，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng)。

1、沉底材料可采用銅箔、石墨等;

2、生長腔體采用高純石英管，配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環(huán)境;

3、爐膛采用高純氧化鋁多晶體纖維，不易掉粉、壽命長且保溫性能好。加熱絲采用質(zhì)摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲，溫場均勻，能耗低；

4、密封法蘭均采用不銹鋼材質(zhì)，配水冷套，可連續(xù)長時間工作;

5、氣路系統(tǒng)采用兩路質(zhì)量流量計(可拓展多路),配預混系統(tǒng);

6、氣體種類：He/Ar、C2H2、NH3、N2,H2、PH3、GeH4、B2H6；

7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實時控制和顯示相關(guān)的實驗參數(shù)，自動保存實驗參數(shù)，也可采用手動控制；

8、系統(tǒng)采用集成化設(shè)計，控制系統(tǒng)、混氣罐、質(zhì)量流量計等均內(nèi)置在箱體內(nèi)部，占地面積小。整體安裝四個可移動輪子，方便整體移動。

CVD系統(tǒng)產(chǎn)品的特點：

1、兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式

2、可以在1000Pa-0、1Pa之間任意氣壓下進行石墨烯的生長

3、使用計算機控制，可以設(shè)置多種生長參數(shù)

4、可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達數(shù)厘米，研究動力學過程

5、沉積效率高；薄膜的成分準確可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數(shù)毫米，可以實現(xiàn)厚膜沉積且能大量生產(chǎn)

CVD系統(tǒng)用途：

此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控

生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)真空淬火退火，快速降溫等工藝實驗。

CVD系統(tǒng)組成：

配置：

1、1200度開啟式真空管式爐（可選配多溫區(qū)）。

2、滑動系統(tǒng)分為手動、電動滑動，并配有風冷系統(tǒng)。

3、多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

4、真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）

CVD系統(tǒng)特點：

1、控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡單。

2、氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用快捷法蘭，提高操作便捷性。

3、中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強，耐沖擊分子泵，防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。

4、電動)滑動系統(tǒng)采用溫度控制器自動控制爐體移動，等程序完成，爐體按設(shè)定的速度滑動，因有滑動限位功能爐體不會發(fā)生碰撞，待樣品露出爐體后，通過風冷系統(tǒng)快速降溫。