二硫化鉬CVD氣相沉積系統(tǒng)\滑動式二硫化鉬CVD制備設備
二硫化鉬CVD氣相沉積系統(tǒng)概述
硫粉預熱器采用管內(nèi)測控溫，穩(wěn)定控制硫蒸汽的蒸發(fā)時機和蒸發(fā)溫度。真空機組裝有真空粉塵過濾器以保護機械式真空泵不被硫粉塵損壞。采用耐腐蝕電阻電容復合真空計（在1000Pa以上測量不受氣體種類影響，耐硫蒸氣腐蝕），通過調(diào)節(jié)真空蝶閥的開啟程度調(diào)節(jié)爐管內(nèi)壓力穩(wěn)定，在1200℃以下的工藝溫度穩(wěn)定氣相沉積二硫化鉬等二維化合物材料。二硫化鉬CVD氣相沉積系統(tǒng)組成
HCVD/1200℃雙溫區(qū)管式爐，HT硫粉預熱器(雙溫區(qū)管式爐與預熱器可滑動)，質(zhì)量流量計供氣系統(tǒng)，機械式真空泵等組成。二硫化鉬CVD氣相沉積系統(tǒng)主要技術參數(shù)
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硫粉預熱器 ? |
型號：SGM.400℃?二硫化鉬CVD氣相沉積系統(tǒng) 工作溫度：350℃ 額定溫度：400℃ 升溫速率：30℃/min 推薦升溫速率：10℃/min 控溫方式：智能化30段可編程控制 工作電壓：AC220?V 額定功率：800W 控溫精度：±1℃ 加熱元件：電阻絲 ? |
| 雙溫區(qū)硫化爐? |
型號：HCVD/1200S 技術參數(shù)： 額定功率(KW):3 額定電壓(V):AC220v??50/60?Hz 額定溫度(℃):1200℃ （可選900℃、1200℃、1400℃、1700℃） 持續(xù)工作溫度(℃）：1100 升溫速率（℃/min）：≤50 爐管尺寸（mm）： 高純石英管Φ50×1500mm 加熱區(qū)長度（mm）：440mm 恒溫區(qū)長度（mm）:200mm?? 控溫方式:模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能 控溫精度(℃):±1 加熱元件:電阻絲 |
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供氣系統(tǒng)GMF3Z ? |
質(zhì)量流量計 重量：35Kg 外形尺寸：600x600x650mm 連接頭類型：雙卡套不銹鋼接頭。 標準量程（N2標定)：50sccm、200sccm、500sccm；?（可根據(jù)用戶要求定制） 準確度：±1.5% 線性：±0.5～1.5% 重復精度：±0.2% 響應時間：氣特性：1～4?Sec，電特性：10?Sec 工作壓差范圍：0.1～0.5?MPa 額定壓力：3MPa 接口：Φ6,1/4'' 顯示：4位數(shù)字顯示 工作環(huán)境溫度:5~45高純氣體????????????? 內(nèi)外雙拋不銹鋼管：Φ6 壓力真空表：－0.1～0.15?MPa,?0.01?MPa/格? 截止閥：Φ6 |
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低真空機組VAU-02 ? |
技術參數(shù)： 空氣相對濕度≤85%， 工作電電壓：220V±10%??50~60HZ? 功率：1千瓦 抽氣速率：4Ls 極限真空：4X10-2Pa 實驗真空度：1.0X10-1Pa 容油量：1.1L 進氣口口徑：KF25 排氣口口徑：KF25 轉速：1450rpm 噪音：50dB 外型尺寸:450×180×240mm |
| 配真空粉塵過濾器，DN25手動蝶閥用于控制爐管內(nèi)壓力，INFICON PCG554復合真空計 |
用CVD制備二硫化鉬，可以生長成單層的。
什么是cvd？cvd什么意思？
CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相沉積),CVD化學氣相沉積是指化學氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業(yè)中應用設計為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。沉積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。
CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。
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